英特尔3工艺节点详情相同功率下性能提升18%密度提高10%现已搭载Xeon6CPU

发布时间：2024-06-19 15:14:49 栏目：科技

导读 英特尔详细介绍了其下一代英特尔3工艺节点，该节点比英特尔4工艺节点性能提升18%，同时密度也有所提高。英特尔3在相同功率下性能提升18%，...

英特尔详细介绍了其下一代英特尔3工艺节点，该节点比英特尔4工艺节点性能提升18%，同时密度也有所提高。



英特尔3在相同功率下性能提升18%，同时晶体管密度提高10%

对于Chipzilla来说，英特尔3节点至关重要，因为它正努力实现在四年内交付五个节点的目标。英特尔3节点标志着这一旅程的中途一步，英特尔7和英特尔4节点已在市场上的各种产品中出货，英特尔3节点将通过2024年台北国际电脑展上推出的Xeon6700E“SierraForest”系列产品与客户见面。

相关报道英特尔反击AMD的数据中心AI性能声明：称通过适当的优化，第五代Xeon比AMDEPYCTurin更快

英特尔3工艺节点带来的一些重大优势包括更密集的设计库、更大的晶体管驱动电流和更多EUV的使用。该节点还有三种变体，包括3-T、3-E和3-PT。前两种变体与英特尔4相比，每瓦性能提升了18%，而PT则带来了额外的性能并且易于使用。所有四种节点变体都支持240nm高性能和210nm高密度库。

它们还具有一系列特定功能，例如3/3-T上的Through-SiVia、对3-E和9um间距TSV的1.2V原生和深N阱支持，以及在3-E基础上扩展的3-PT上的混合键合支持。3/3-T节点将服务于服务器、客户端和基片应用，而3-E则针对芯片组和存储市场。最后，3-PT将服务于AI/HPC应用和通用计算产品。

新闻稿：在英特尔代工厂，我们致力于利用创新技术来延伸摩尔定律，并为客户提供更强大的功能，以实现令人兴奋的新应用。

几十年来，我们在关键转折点上以晶体管技术引领行业，包括2005年引入应变硅，2009年引入高k和金属栅极堆栈，以及2011年利用FinFET架构将晶体管带入三维。今天，我们继续发扬我们的传统，开拓重大新型晶体管创新，这些创新将塑造人工智能和超级计算机等未来领域。